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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRF3704ZSTRRPBF 的晶体管是一款 N沟道增强型MOSFET,主要用于高效率、高频率的功率转换场景。 该器件典型应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,因其导通电阻低(Rds(on)小),能有效降低功率损耗,提高能效。 2. 电机控制:适用于直流电机驱动、伺服控制系统等,具备较高的电流承载能力和快速开关特性,有助于实现精准控制。 3. 负载开关与电源分配:用于电池管理系统(BMS)、电源多路复用等场景,作为高效开关元件,控制电源的通断。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,该MOSFET可实现直流到交流的高效转换,满足高频率开关需求。 5. 汽车电子:由于英飞凌在汽车半导体领域具有优势,该器件也适用于车载电源系统、车载充电器等场景。 该MOSFET采用表面贴装封装(如D2PAK),便于自动化生产与散热设计,适用于工业级温度范围,具有良好的稳定性和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF3704ZSTRRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.9 毫欧 @ 21A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 57W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 67A (Tc) |