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Datasheet下载- 型号： IRF7473PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7473PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7473PBF价格参考。International RectifierIRF7473PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7473PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7473PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7473PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRF7473PBF适用于各种开关电源设计，例如DC-DC转换器、降压/升压转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率，非常适合用于高效能的电源管理应用。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其高开关速度和良好的电流处理能力，可以实现精确的电机控制，同时降低发热和能耗。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理系统中，IRF7473PBF可以用作充放电控制开关。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失，延长电池寿命。 4. 负载开关 IRF7473PBF可用作负载开关，用于动态控制电路中的电流流动。例如，在消费电子设备中，它可以快速切断不必要的负载以节省能源。 5. 逆变器 在小型逆变器应用中，该MOSFET可以作为开关元件，将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等领域。 6. LED驱动 对于大功率LED照明系统，IRF7473PBF可以用作PWM调光控制开关，提供高效的电流调节，确保LED亮度稳定且节能。 7. 汽车电子 在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、电动座椅控制、车窗升降器等需要高可靠性和高效能的应用场景。 特性优势： - 低导通电阻：典型值为28mΩ（@Vgs=10V），减少功耗。 - 高开关速度：适合高频应用，提升系统效率。 - 耐压范围广：额定电压为60V，适用于多种低压系统。 - 低栅极电荷：减少开关损耗，提高动态性能。 综上所述，IRF7473PBF凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及新能源领域中的各种功率管理和控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOICMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7473PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7473PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 61 nC |
| Qg-栅极电荷 | 61 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.9A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7473.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7473.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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