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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDFP03N150CG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDFP03N150CG价格参考¥9.97-¥19.57。ON SemiconductorNDFP03N150CG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDFP03N150CG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDFP03N150CG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDFP03N150CG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有高电压和低漏电流的特性,适用于多种高压应用场合。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - NDFP03N150CG 的耐压值高达 1500V,非常适合用于开关电源中的高压开关元件。它可以在高频条件下高效地切换电压,帮助实现稳定的直流输出。 - 常见应用包括 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及功率因数校正 (PFC) 电路。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和家电领域中,该 MOSFET 可用于驱动高压电机。例如,用于空调压缩机、洗衣机电机或电动工具等设备。 - 其高耐压能力能够承受电机启动时的瞬态高压冲击。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器和 UPS(不间断电源)系统中,NDFP03N150CG 可作为功率开关器件,将直流电转换为交流电。 - 它的高击穿电压和低导通电阻特性有助于提高逆变器的效率和可靠性。 4. 固态继电器 (SSR) - 由于其高耐压和快速开关速度,该 MOSFET 可用于设计固态继电器,替代传统的机械继电器。 - SSR 提供更长的使用寿命和更高的开关速度,适合工业控制和家用电器中的负载切换。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在需要精确控制电压或电流的应用中,如 LED 驱动、电池充电器或加热器控制,NDFP03N150CG 可用作 PWM 开关。 - 其低栅极电荷特性使得它能够在高频下高效工作,减少能量损耗。 6. 保护电路 - 该 MOSFET 可用于过压保护、过流保护和短路保护电路中,确保电子设备在异常情况下不会受到损坏。 - 其高耐压能力使其特别适合高压环境下的保护应用。 总结 NDFP03N150CG 凭借其出色的耐压性能、低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于高压电源管理、电机驱动、逆变器、固态继电器和保护电路等领域。这些场景要求高可靠性和高效能,而该 MOSFET 正好满足这些需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220MOSFET N-CH Power MOSFET 1500V 2.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDFP03N150CG- |
数据手册 | |
产品型号 | NDFP03N150CG |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 44 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.5 欧姆 @ 1A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | NDFP03N150CGOS |
典型关闭延迟时间 | 148 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
系列 | NDFP03N150C |