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NDF10N60ZG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF10N60ZG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF10N60ZG价格参考。ON SemiconductorNDF10N60ZG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP。您可以下载NDF10N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDF10N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的NDF10N60ZG是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件具有10A漏极电流和600V漏源击穿电压,适用于中高功率开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC/DC电源适配器、开关电源(SMPS),用于高效能直流转换和稳压控制。 2. 电机驱动电路:在工业自动化和家电中用于控制小型电机的启停与调速。 3. 照明系统:如LED驱动电源,适用于高亮度LED照明的恒流控制。 4. 消费类电子产品:用于充电器、变频器等设备中的功率开关。 5. 新能源应用:如太阳能逆变器、储能系统中的DC/DC转换模块。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好热稳定性,适合高频开关操作,广泛用于效率与可靠性要求较高的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FPMOSFET NFET T0220FP 600V 10A .65 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF10N60ZG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDF10N60ZG |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 36 W |
| Pd-功率耗散 | 36 W |
| Qg-GateCharge | 47 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1645pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | NDF10N60ZG-ND |
| 功率-最大值 | 39W |
| 功率耗散 | 36 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 650 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 47 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 7.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |