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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5418DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5418DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5418DU-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI5418DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5418DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI5418DU-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET,采用1.2mm×1.2mm微型DFN封装,具有低导通电阻和小尺寸优势,适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理与负载开关控制。由于具备良好的开关性能和低功耗特性,该器件常用于电池供电系统的电源开关、DC-DC转换电路以及过压保护电路中。此外,SI5418DU-T1-GE3也广泛应用于笔记本电脑和其他移动设备的热插拔控制和电源多路切换模块。其高集成度和可靠性使其成为高性能、小型化电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFETMOSFET 30V 12A 31W 14.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5418DU-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5418DU-T1-GE3SI5418DU-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.5 毫欧 @ 7.7A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFET 单通道 |
| 其它名称 | SI5418DU-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 单 |
| 封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Hex Drain Dual Source |
| 零件号别名 | SI5418DU-GE3 |