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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK36N60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK36N60P价格参考。IXYSIXFK36N60P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK36N60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK36N60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK36N60P是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有36A连续漏极电流和600V漏源击穿电压,适用于高电压、中高功率场景。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:用于工业自动化、电动工具、伺服系统等电机控制电路中,提供快速开关和低导通损耗。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电输出。 4. 照明系统:在高亮度LED照明或HID灯镇流器中作为功率开关使用。 5. 电动汽车与充电设备:用于车载充电器、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。 6. 工业控制:如变频器、电焊机、感应加热等工业设备中作为功率开关元件。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减小散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264MOSFET 600V 36A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK36N60PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK36N60P |
| Pd-PowerDissipation | 650 W |
| Pd-功率耗散 | 650 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 102nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 650W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 190 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 39 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 36 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 36A (Tc) |
| 系列 | IXFK36N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |