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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPG30PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPG30PBF价格参考¥9.46-¥9.46。VishayIRFPG30PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFPG30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPG30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPG30PBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的场景。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源管理电路,适用于笔记本电脑、平板和通信设备。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,用于工业自动化设备或机器人控制系统。 3. 负载开关与继电器替代:因其低导通电阻和快速开关特性,常用于取代机械继电器,实现更可靠和长寿命的电子开关功能。 4. 逆变器与电源转换系统:适用于小型逆变器或不间断电源(UPS)中,进行电能转换和调节。 5. 汽车电子:可用于车载电源系统、照明控制或车载充电器等应用。 该器件具有高耐用性和热稳定性,适合中高功率、低电压操作环境,广泛应用于消费类电子、工业控制及汽车电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247ACMOSFET N-Chan 1000V 3.1 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPG30PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFPG30PBFIRFPG30PBF |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 24 ns |
下降时间 | 29 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 980pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 1.9A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFPG30PBF |
典型关闭延迟时间 | 89 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |