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IRFBC30ALPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC30ALPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC30ALPBF价格参考。VishayIRFBC30ALPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK。您可以下载IRFBC30ALPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC30ALPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBC30ALPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点,适用于多种电源管理和电机控制应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能转换与稳压控制。 2. 电机驱动:在电动工具、电动车、工业自动化设备中作为电机控制开关,实现调速与方向控制。 3. 负载开关:用于智能电池管理系统、服务器电源管理及热插拔电路中,控制高电流负载的通断。 4. 照明系统:如LED驱动电源中用于调节亮度或作为主开关元件。 5. 汽车电子:应用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET采用先进的封装技术,具备良好的散热能力,适合在紧凑型设计和高密度电路板中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC30ALPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBC30ALPBFIRFBC30ALPBF |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | *IRFBC30ALPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |