Datasheet下载- 型号： IPP80N04S3-04
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N04S3-04由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP80N04S3-04价格参考。InfineonIPP80N04S3-04封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP80N04S3-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP80N04S3-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPP80N04S3-04是一款功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于需要高效、高电流开关能力的场景，尤其适用于汽车电子和工业控制领域。 典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：如电动助力转向（EPS）、电动泵、空调压缩机和车身控制模块，用于高效驱动电机和继电器，具备高可靠性和温度稳定性。 2. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，实现高效能电能转换与分配，尤其适合中高功率电源设计。 3. 电机驱动：适用于工业自动化设备中的电机控制，如伺服驱动器和步进电机驱动器，提供快速开关和低导通损耗。 4. 逆变器和变频器：用于家电（如变频空调）或小型逆变系统中，作为核心开关元件实现交流输出的调节与控制。 5. 电池管理系统（BMS）：在电动车或储能系统中用于电池充放电控制，具备高耐压和低导通电阻特性，提高系统效率。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适合在高频率和高负载环境下工作，是高性能功率开关的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba313458f&sId=db3a30433a047ba0013a052eea1f007c |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP80N04S3-04OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba313458f |
| 产品型号 | IPP80N04S3-04 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 90µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP80N04S304 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | xPP80N04 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPP80N04S304AKSA1 SP000261230 |
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