Datasheet下载- 型号： IXFH66N20Q
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH66N20Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH66N20Q价格参考。IXYSIXFH66N20Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH66N20Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH66N20Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH66N20Q是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具有66A电流承载能力和200V漏源电压耐压。该器件广泛应用于高效率、大电流的电力电子系统中。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块，其高耐压与低导通电阻特性有助于提升转换效率；电机驱动电路，适用于工业自动化设备、电动工具及直流电机控制，能有效降低功耗并提高响应速度；逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在直流到交流转换过程中提供高效开关性能；此外，也常用于DC-DC变换器、电池充电管理以及高功率LED驱动电源等场合。 IXFH66N20Q采用TO-247封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合在高温、高负载环境下稳定运行。其快速开关特性和低栅极电荷设计，有助于减少开关损耗，提高系统整体能效。因此，在需要高功率密度和高可靠性的工业与能源应用中，该型号MOSFET表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH66N20Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 66A （Tc） |
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