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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STF42N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF42N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF42N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF42N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF42N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF42N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STF42N65M5是一款高压超级结MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件额定电压为650V，具备高电流承载能力（典型连续漏极电流达42A），采用先进的MDmesh™ M5技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。 STF42N65M5主要适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中，作为主开关器件，提升能效并降低热损耗。 2. PFC电路（功率因数校正）：在升压型PFC电路中表现优异，有助于满足严格的能效标准（如80 PLUS认证）。 3. 照明电源：适用于大功率LED驱动电源，支持高可靠性与长寿命需求。 4. 太阳能逆变器：在光伏微逆变器或组串式逆变器的DC-DC转换级中，实现高效能量转换。 5. 电机驱动与工业控制：用于中小功率电机控制系统的功率级，提供快速响应与稳定运行。 该MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适合在高温、高负载环境下长期工作。其封装形式（如TO-247）便于散热设计，适用于紧凑型高功率模块。综合来看，STF42N65M5是高性能电源系统中实现节能与小型化的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 33A TO-220FPMOSFET N-CH 65V 33A MDMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF42N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF42N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 79 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 79 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4650pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 79 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-8895-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF219968?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/st/mdmeshv.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | STx42N65M5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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