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IRFH5300TR2PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5300TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5300TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5300TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),250W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘。您可以下载IRFH5300TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5300TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH5300TR2PBF 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个FET器件。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理: IRFH5300TR2PBF 适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、步进电机控制器以及其他需要高效功率切换的应用中。其快速开关特性和低损耗使其成为电机控制的理想选择。 3. 逆变器与太阳能系统: 在光伏逆变器和其他可再生能源相关设备中,IRFH5300TR2PBF 能够实现高效的电力转换,支持将直流电转化为交流电以供家庭或工业使用。 4. 汽车电子: 该型号符合车规级标准,广泛应用于车载电子设备,如电动助力转向系统(EPS)、空调压缩机控制单元以及电动车窗/座椅调节模块等。 5. 消费类电子产品: 包括游戏机、家用电器(如冰箱、洗衣机)在内的多种产品都可能采用此款MOSFET来优化性能并减少热量产生。 6. 工业自动化: 在工厂自动化设备中,例如机器人手臂、传送带控制系统等,这款MOSFET能够提供稳定可靠的功率传输解决方案。 综上所述,IRFH5300TR2PBF 凭借其卓越的电气参数和耐用性,适合用于需要高效能、高可靠性的各类电力电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PQFNMOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5300TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5300TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5300TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 功率耗散 | 3.6 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 50 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 190 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Ta), 100A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5300.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5300.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |