Datasheet下载- 型号： FQPF3N30
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF3N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF3N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF3N30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF3N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF3N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF3N30 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要特点包括高耐压（300V）、低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高功率的电力电子系统。 该器件典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，实现高效的能量转换。 2. 马达控制：在电机驱动器或电动工具中作为功率开关，控制电机的启停与转速。 3. 照明系统：用于LED驱动电源或高压气体放电灯（HID）镇流器中，提供稳定电流控制。 4. 消费电子产品：如电视电源、充电器、变频空调等，提升能效并减小体积。 5. 工业自动化：在PLC、工业电源模块中用于负载开关或功率调节。 由于其具备较强的电流承载能力和良好的热性能，FQPF3N30也适用于需要一定过载能力的设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 1.95A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF3N30 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 980mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.95A （Tc） |
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