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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C3V9,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C3V9,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C3V9,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.9V 375mW ±5% Surface Mount SOD-123F。您可以下载BZT52H-C3V9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C3V9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BZT52H-C3V9,115 是一款表面贴装齐纳二极管,标称齐纳电压为3.9V,功率为200mW,采用SOD-323封装。该器件属于低功率稳压二极管,主要用于电压参考、过压保护和电平钳位等场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理电路,用于稳定低电压节点或保护敏感IC免受瞬态电压冲击;在消费类电子产品(如耳机、USB接口设备、小型传感器模块)中提供精确的电压基准;也可用于信号线路的静电放电(ESD)保护,防止因静电或浪涌电压造成损坏。 由于其体积小、响应速度快且稳定性高,BZT52H-C3V9,115 非常适合空间受限的高密度PCB设计。此外,在工业控制、通信模块和电池供电设备中,该器件可作为低功耗稳压解决方案,确保电路在复杂电磁环境中稳定运行。其符合AEC-Q101车规认证,也适用于汽车电子中的非主控类电路,如车载传感器或信息娱乐系统的辅助电源保护。 总之,BZT52H-C3V9,115 凭借高精度、小尺寸和高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备中的电压箝位与稳压场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C3V9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C3V9,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3772-6 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 95 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C3V9 T/R |
| 齐纳电压 | 4.1 V |