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FDN358P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN358P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN358P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN358P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN358P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN358P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN358P 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 开关电源(SMPS): FDN358P 的低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,从而实现电压转换和稳压功能。 2. 负载切换: 在需要频繁切换负载的应用中(如电池管理系统或 USB 供电设备),FDN358P 可以用作负载开关。它的低导通电阻可以减少功率损耗,同时提供稳定的电流传输。 3. 电机驱动: FDN358P 可用于小型直流电机的驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力和电流承载能力能够满足大多数低功率电机的需求。 4. 信号放大与缓冲: 在一些需要信号放大的场合,例如音频信号处理或传感器信号调理电路中,FDN358P 可以用作放大器或缓冲器,提供高输入阻抗和低输出阻抗。 5. 保护电路: 在过流保护、短路保护或热保护电路中,FDN358P 可以通过检测电流或温度的变化来切断电路,从而保护其他敏感器件免受损害。 6. 便携式设备: 由于其低功耗特性和小封装尺寸(如 SOT-23 或更小),FDN358P 常用于便携式电子设备(如手机、平板电脑、可穿戴设备等)中的电源管理模块。 7. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,FDN358P 可以用作恒流源或调光控制器,确保 LED 的亮度稳定并支持 PWM 调光功能。 总之,FDN358P 凭借其高性能参数(如低 Rds(on)、快速开关速度和小封装尺寸),在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域具有广泛的应用价值。具体使用时需根据实际需求选择合适的驱动电压和散热设计以确保其正常工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3MOSFET SSOT-3 P-CH -30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN358PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN358P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 182pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN358PTR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Ta) |
| 系列 | FDN358P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN358P_NL |