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  • 型号: NTNS3A65PZT5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTNS3A65PZT5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTNS3A65PZT5G价格参考¥0.51-¥0.52。ON SemiconductorNTNS3A65PZT5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTNS3A65PZT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTNS3A65PZT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTNS3A65PZT5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于需要高效功率管理和开关控制的场景。其典型应用场景包括:

1. 电源管理系统:适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电池供电管理,作为负载开关或反向电流保护器件。

2. DC-DC转换器:用于同步整流电路中,提高转换效率,常见于小型电源模块和适配器设计。

3. 电机驱动与继电器驱动:作为高边开关使用,控制电机或继电器的通断,广泛应用于工业自动化和汽车电子系统。

4. 负载开关应用:用于控制不同电路模块的供电,实现节能与系统稳定性,如服务器、通信设备和消费类电子产品中的热插拔保护。

5. 汽车电子系统:由于其具备较高的可靠性和耐压能力,也适用于车载电源系统、车身控制模块等对稳定性要求较高的环境。

该器件采用小型封装(如DFN或TSOP),适合空间受限的设计,具备低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能,是中低功率应用中的优选器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 235MA SOT883

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTNS3A65PZT5G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

44pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.1nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.3 欧姆 @ 200mA, 4.5V

供应商器件封装

*

功率-最大值

155mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

8,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

281mA (Ta)

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