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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA032N08由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA032N08价格参考。Fairchild SemiconductorFDA032N08封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDA032N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA032N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDA032N08 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDA032N08 的低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于高效能的开关电源设计,如 DC-DC 转换器。 - 负载开关:可用于控制电路中不同负载的开启和关闭,确保系统在待机或关断模式下功耗最小化。 - 电池管理:适用于锂电池保护电路、充电管理系统等,提供过流保护和高效的电流控制。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 在 H 桥或半桥驱动电路中,FDA032N08 能够承受一定的电流和电压应力,确保稳定运行。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换:在需要高频率信号切换的应用中,例如音频放大器或多路复用器,FDA032N08 的低电容和快速响应时间能够保证信号完整性。 - 数据通信接口:可用于 RS-232、USB 等通信接口的保护和切换,防止过压或静电损坏。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如 LED 照明控制、电动座椅调节、电动车窗等应用中,FDA032N08 的耐用性和可靠性表现优异。 - 引擎控制单元 (ECU):作为功率开关,用于控制各种传感器和执行器的工作状态。 5. 消费类电子产品 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器中的充电管理和功率分配。 - 家用电器:如空调、冰箱、洗衣机中的风扇控制、压缩机启动等场景。 6. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC):用于输入输出模块的开关控制,确保工业设备的精确操作。 - 传感器接口:为压力、温度、位移等传感器提供电源管理和信号处理支持。 综上所述,FDA032N08 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换、汽车电子、消费类电子产品以及工业自动化等领域。具体选择时需根据实际电路需求考虑其额定电压、电流、导通电阻等参数是否满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-3PMOSFET PT3 75V 3.2mohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 235 A |
| Id-连续漏极电流 | 235 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA032N08PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDA032N08 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 191 ns |
| 下降时间 | 121 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 335 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 系列 | FDA032N08 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |