【未分类_IRF1104STRR】封装/厂家_IRF1104STRR中文资料_价格

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型号： IRF1104STRR
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1104STRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1104STRR价格参考。International RectifierIRF1104STRR封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF1104STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1104STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF1104STRR是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单晶体管类别。它广泛应用于多种电子电路中，主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IRF1104STRR适用于开关模式电源中的功率开关，能够高效地控制电压和电流的转换，提供稳定的输出。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机，实现电机的启动、停止和速度调节等功能。

3. 负载切换：  
   在需要频繁切换负载的电路中，IRF1104STRR可以作为电子开关使用，例如汽车电子系统中的负载控制。

4. 电池管理：  
   用于电池充电和放电管理电路中，控制电池的充放电过程，保护电池免受过充或过放的影响。

5. 逆变器：  
   在小型逆变器中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或其他便携式逆变设备。

6. LED驱动：  
   用于高亮度LED的驱动电路中，通过精确控制电流来调节LED的亮度和工作状态。

7. 信号放大与缓冲：  
   在某些低频信号处理电路中，IRF1104STRR可以用作信号放大或缓冲元件。

其典型特性包括低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，使其适合在中低功率应用中发挥出色性能。同时，该器件的工作电压范围较广，能够在各种复杂环境中稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRF1104STRR
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	93nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9 毫欧 @ 60A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
供应商器件封装	D2PAK
功率-最大值	2.4W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	800
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）