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FDT86246产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86246由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86246价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86246封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 2A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT86246参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT86246 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT86246是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单通道增强型n沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性,适用于多种应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - FDT86246常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电电路。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: - 在小型电机驱动应用中,FDT86246可以作为功率级开关,控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使其适合于高效能电机控制系统。 3. 负载切换: - 该MOSFET可用于负载切换电路中,实现对不同负载的快速通断控制。例如,在汽车电子系统中,它可以用于控制车灯、雨刷器等设备的电源通断。 4. 信号放大与缓冲: - 在一些信号处理电路中,FDT86246可以用作信号放大或缓冲元件,确保信号传输的稳定性和完整性。 5. 过流保护: - 利用其内置的温度保护和低导通电阻特性,FDT86246可以设计成过流保护电路中的关键元件,防止电流过大导致的损坏。 6. 便携式设备: - 在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,FDT86246能够有效管理电源分配,延长电池寿命并确保设备的高效运行。 7. 工业自动化: - 在工业自动化领域,FDT86246可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器控制等场合,提供可靠的开关功能。 总之,FDT86246凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等多个领域,满足了不同应用场景下的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86246PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDT86246 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| Qg-栅极电荷 | 2.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 236 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 236 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 215pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 236 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FDT86246CT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 250.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
| 系列 | FDT86246 |