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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN120P20T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN120P20T价格参考。IXYSIXTN120P20T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTN120P20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTN120P20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTN120P20T是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有200V的高漏源击穿电压和12A的连续漏极电流能力,适用于高电压、中等电流的开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中的高压侧开关,提供高效能的电能转换。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具及家用电器中的中小功率直流电机或步进电机驱动电路。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、逆变电源中作为功率开关元件,实现直流到交流的转换。 4. 电池管理系统:可用于电池充放电控制电路,特别是在高电压电池组中作为保护开关。 5. 工业与汽车电子:适合工业电源模块、车载电源系统等对可靠性和耐压要求较高的环境。 该MOSFET具备低栅极电荷和导通电阻,有助于提升系统效率,同时采用TO-220或类似封装,便于散热和安装。由于其P沟道特性,特别适用于高端驱动配置,简化驱动电路设计。综合来看,IXTN120P20T广泛应用于需要高电压操作和稳定性能的工业、电源和自动化领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTN120P20T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchP™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 73000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 740nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 60A,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 106A |