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产品简介:
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IRFU220BTU_F080 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,实现高效的能量转换和调节。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中,作为功率开关使用,控制电机的启停和转速。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如照明系统、加热元件等。 4. 逆变器和变频器:在小型逆变器或变频器中作为功率开关元件,实现直流到交流的转换或频率调节。 5. 工业自动化:在工业控制系统中用于继电器替代、电磁阀驱动等场合,实现快速、可靠的开关控制。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(60V)和良好的热性能,适用于中高功率应用,且封装小巧(DPAK),便于在各种电路中集成。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFU220BTU_F080 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 2.3A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 70 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Tc) |