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  • 型号: IXFY4N60P3
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFY4N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFY4N60P3价格参考。IXYSIXFY4N60P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFY4N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFY4N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFY4N60P3是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET分类。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性能,广泛应用于需要高效能功率转换和控制的场合。

主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于提高电源转换效率并减小体积。
2. 电机驱动系统:用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路中,提供快速开关响应和高效能控制。
3. 逆变器与变频器:在UPS不间断电源、太阳能逆变器、工业变频器中作为核心开关元件。
4. 工业自动化控制:用于PLC、工业电源模块、继电器替代等场景,实现高可靠性的功率控制。
5. 电动汽车与充电桩:在车载充电器、电池管理系统(BMS)中用于电能的高效转换与管理。
6. 照明系统:如LED驱动电源中,实现高效率的恒流或恒压供电。

该MOSFET适用于高频率开关应用,具备良好的抗冲击能力和稳定性,适合在中高功率场合中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 4A TO-252

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFY4N60P3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Polar3™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

365pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.2 欧姆 @ 2A,10V

供应商器件封装

TO-252

功率-最大值

114W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

70

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

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