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  • 型号: FCA35N60
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FCA35N60产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCA35N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCA35N60价格参考。Fairchild SemiconductorFCA35N60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 312.5W(Tc) TO-3PN。您可以下载FCA35N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCA35N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCA35N60 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于高电压和中高功率的应用场景。其主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),适用于需要高效能和高可靠性的场合。

2. 电机控制:在工业自动化系统中,用于直流电机或步进电机的驱动与调速。

3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路。

4. 家电产品:例如变频空调、电磁炉等家用电器中的功率控制模块。

5. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源或太阳能逆变器中,实现电能形式的转换与稳定输出。

该器件具备较高的耐压能力(600V)、导通电阻低、热稳定性好等优点,适合高频开关操作,有助于提升系统效率并减小散热设计复杂度。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PNMOSFET 35A, 600V SuperFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCA35N60SuperFET™

数据手册

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产品型号

FCA35N60

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

312.5 W

Pd-功率耗散

312.5 W

Qg-GateCharge

139 nC

Qg-栅极电荷

139 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

79 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

79 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

120 ns

下降时间

73 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6640pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

181nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

98 毫欧 @ 17.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

典型关闭延迟时间

105 ns

功率-最大值

312.5W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

28.8 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

FCA35N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

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