Datasheet下载- 型号： BFL4026-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4026-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4026-1E价格参考￥7.97-￥8.48。ON SemiconductorBFL4026-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4026-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4026-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4026-1E是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能N沟道MOSFET，属于射频功率晶体管，广泛应用于高频、小信号放大场景。该器件采用先进的硅双极工艺制造，具有优异的增益、低噪声和高线性度特性，适用于工作频率高达2.7 GHz的应用。 其主要应用场景包括：无线通信基础设施中的射频功率放大器，如蜂窝基站（GSM、CDMA、LTE等）的前端模块；工业、科学和医疗（ISM）频段设备；无线局域网（WLAN）系统，如5.8 GHz Wi-Fi系统；以及点对点微波通信和小型中继系统。此外，BFL4026-1E也常用于需要高效率和良好热稳定性的便携式或紧凑型射频发射模块。 该器件封装小巧（SOT-723），功耗低，适合高密度PCB布局，有助于减小整体系统尺寸，提升集成度。凭借其稳定的性能和高频响应能力，BFL4026-1E在现代射频设计中被广泛用于提升信号传输质量和系统可靠性。总体而言，它是一款适用于中等功率射频放大的理想选择，特别适合对尺寸、功耗和高频性能有较高要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 3.5A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFL4026-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Tc） |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BFL4026-1E 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商