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Datasheet下载- 型号： BLF2425M8LS140J
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M8LS140J由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M8LS140J价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M8LS140J封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.45GHz 19dB 140W SOT502B。您可以下载BLF2425M8LS140J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF2425M8LS140J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF2425M8LS140J是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要应用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大器中。该器件工作频率范围覆盖2.4 GHz至2.5 GHz，特别适用于需要高效率和高输出功率的无线通信系统。典型应用场景包括Wi-Fi 6/6E接入点、小型基站、公共无线网络基础设施以及工业加热与等离子体生成设备。 该器件采用先进的LDMOS工艺技术，具备高增益、优异的热稳定性和良好的线性性能，能够在连续波（CW）和脉冲模式下高效运行。其片内匹配设计简化了外部电路布局，有助于缩短产品开发周期并提升系统可靠性。此外，BLF2425M8LS140J支持高电压操作（典型漏极电压为28V），可提供高达140W的饱和输出功率，适合对功率密度和能效要求较高的应用场合。 在5G毫米波回传、智能交通系统（ITS）和宽带无线接入等领域，该器件也展现出良好的适用性。凭借Ampleon在射频功率放大技术方面的积累，BLF2425M8LS140J在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于严苛工业环境中的长期运行。总体而言，这款MOSFET是现代高频频段射频功率放大的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF2425M8LS140J |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934067836118 |
| 标准包装 | 100 |
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