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型号： BSP320SH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP320SH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP320SH6327XTSA1价格参考。InfineonBSP320SH6327XTSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BSP320SH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP320SH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的BSP320SH6327XTSA1是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性和高开关速度的电子系统中。

该MOSFET的主要应用场景包括：

1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于提高能效和减小体积。
2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中用于驱动直流电机或步进电机。
3. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等对可靠性要求较高的场景。
4. 负载开关：作为高效电子开关使用，用于控制电池供电设备或高功率负载的通断。
5. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，实现高效的电能转换。
6. 工业控制系统：用于PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业应用中。

该器件采用PG-HSOF-8封装，适合表面贴装工艺，具备良好的热性能和空间利用率，适用于高密度电路设计。其低导通电阻与快速开关特性有助于降低损耗，提高系统效率。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	2.9 A
Id-连续漏极电流	2.9 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP320SH6327XTSA1
产品型号	BSP320SH6327XTSA1
Pd-PowerDissipation	1.8 W
Pd-功率耗散	1.8 W
Qg-GateCharge	9.7 nC
Qg-栅极电荷	9.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	90 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	90 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	25 ns
下降时间	35 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	25 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	90 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	2.5 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	2.9 A
系列	BSP320
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP001058768