Datasheet下载- 型号： DMN2400UFB4-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2400UFB4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2400UFB4-7价格参考。Diodes Inc.DMN2400UFB4-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2400UFB4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2400UFB4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN2400UFB4-7 是一款N沟道MOSFET，具有低导通电阻和小尺寸封装（如DFN1006），适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池开关、负载开关和电源路径管理，因其低功耗和高效率特性，有助于延长电池续航。 2. DC-DC转换电路：在同步整流型DC-DC转换器中作为开关元件，提升转换效率，适用于主板、PMU模块等对能效要求高的场景。 3. 过压/过流保护电路：常用于USB接口、充电端口等位置，配合保护IC实现电压和电流的精准控制，防止设备因异常输入受损。 4. 小型电机驱动：适用于微型马达或振动马达的控制，常见于手机震动模块、智能手环等消费电子产品中。 5. LED背光与照明控制：可用于调节LED亮度的开关控制，尤其适合低电压、低电流的便携式显示设备。 该器件具备优异的开关性能和热稳定性，同时采用无铅环保封装，符合RoHS标准，适用于高密度、高性能的现代电子设计需求。总体而言，DMN2400UFB4-7特别适合对尺寸、功耗和可靠性要求较高的消费类电子和物联网终端设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2400UFB4-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.47 W |
| Pd-功率耗散 | 470 mW |
| Qg-GateCharge | 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.9 V |
| 上升时间 | 3.82 ns |
| 下降时间 | 9.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN2400UFB4-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14.8 ns |
| 功率-最大值 | 470mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN1006H4-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
| 系列 | DMN2400 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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