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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6N25由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6N25价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6N25封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDU6N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDU6N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6N25是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件广泛应用于需要高效开关和中等功率处理能力的电子电路中。 其主要应用场景包括:电源管理、DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制模块。由于其具备较高的耐压特性(VDS=250V)和良好的导通电阻性能,FDU6N25特别适用于需要高电压操作但电流适中的场合,如消费类电子产品中的电源适配器、照明电源模块(如LED驱动电源)以及工业控制设备中的功率开关单元。 此外,该MOSFET还常用于逆变器电路、充电器系统和家用电器中的功率调节部分。其封装形式有利于散热和紧凑布局,适合对空间和效率有要求的设计。总体而言,FDU6N25凭借其可靠的性能和稳定性,在中高压开关应用中具有广泛适用性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3MOSFET N-Channel UniFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDU6N25UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDU6N25 |
Pd-PowerDissipation | 50 W |
Pd-功率耗散 | 50 W |
Qg-GateCharge | 6 nC |
Qg-栅极电荷 | 6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 60 ns |
下降时间 | 34 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 2.2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 539 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 70 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 70 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Tc) |
系列 | FDU6N25 |
配置 | Single |