Datasheet下载- 型号： PMXB360ENEAZ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB360ENEAZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB360ENEAZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB360ENEAZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMXB360ENEAZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMXB360ENEAZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMXB360ENEAZ 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个），采用无铅、符合 RoHS 的 SOT-1215 小型封装（尺寸仅 1.7×1.2×0.5 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（QG ≈ 3.5 nC）和快速开关特性。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，用于实现高效、低功耗的电源通断控制； • USB Type-C 接口保护与供电切换：在 PD（Power Delivery）系统中作为反向电流阻断开关，防止电池倒灌； • LED 驱动与背光控制：适用于中小功率 LED 灯串的 PWM 调光驱动，凭借快速开关响应提升调光精度与效率； • DC-DC 转换器的同步整流或高边开关：尤其适用于降压（Buck）拓扑中的辅助开关或低功耗 DC/DC 模块； • 工业与物联网传感器节点：在空间受限的电池供电传感器模块中，用于唤醒/休眠状态下的电源门控，显著降低待机功耗。 该器件额定电压为 –20 V，连续漏极电流达 –2.9 A（Tamb=25°C），支持 –55℃ 至 +150℃ 工作温度范围，兼具高可靠性与小型化优势，特别适合对尺寸、能效和成本敏感的消费类及嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB360ENEAZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 1.1A， 10V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PMXB360ENEAZ 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商