Datasheet下载- 型号： PMXB360ENEAZ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB360ENEAZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB360ENEAZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB360ENEAZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMXB360ENEAZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMXB360ENEAZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMXB360ENEAZ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率管理和开关控制的电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源中，提高能源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机控制：在电机驱动器和电动工具中作为开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关：用于电池供电设备中，作为负载开关以减少待机功耗，延长电池寿命，常见于智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。 4. 照明系统：在LED照明驱动电路中作为调光或开关元件，实现高效可控的照明解决方案。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）和LED车灯驱动，满足汽车工业对可靠性和效率的要求。 该MOSFET采用节能封装，适用于高密度电路设计，适合在工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB360ENEAZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 1.1A， 10V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Ta） |
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