Datasheet下载- 型号： SI4116DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4116DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4116DY-T1-E3价格参考。VishaySI4116DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4116DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4116DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4116DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和电源管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于笔记本电脑、平板电脑及移动设备中的电池供电系统，实现高效的电源切换与管理。 2. 负载开关应用：作为负载开关控制元件，用于控制外围设备（如USB接口、显示屏背光等）的电源通断，具有低导通电阻、减少功率损耗的优势。 3. DC-DC 转换器：在同步整流电路中作为高边或低边开关使用，提升转换效率，适合小型化电源模块设计。 4. 马达驱动与继电器驱动：可用于小功率电机控制或固态继电器中，具备良好的热稳定性和快速响应能力。 5. 工业控制设备：如PLC、传感器模块、自动控制系统中作为电子开关使用，支持高频开关操作。 该器件采用小型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于便携式电子产品、通信设备及消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4116DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1925pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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