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  • 型号: FQP14N30
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP14N30产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP14N30由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP14N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQP14N30封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 300V 14.4A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP14N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP14N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP14N30 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FQP14N30 的高电压耐受能力(300V Vds)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 DC-DC 转换器、反激式变换器等。
   - 在这些场景中,MOSFET 作为主开关器件,控制电能的传输和转换。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于低功率到中功率电机驱动电路中,例如小型直流电机或步进电机的驱动。
   - 其低导通电阻(典型值为 0.85Ω @ Vgs=10V)有助于减少功耗,提高效率。

 3. 逆变器
   - FQP14N30 常用于小型逆变器中,将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变设备。
   - 它能够承受较高的电压波动,确保系统在恶劣条件下的稳定运行。

 4. 电磁阀控制
   - 在工业自动化和家电领域,FQP14N30 可用作电磁阀的驱动开关。
   - 其快速开关特性和高耐压能力使它成为理想选择。

 5. 负载开关
   - 该 MOSFET 可用于负载开关电路中,实现对不同负载的通断控制。
   - 例如,在汽车电子中,它可以用来控制车灯、雨刷器或其他电气设备的供电。

 6. 保护电路
   - FQP14N30 可用于过流保护、短路保护等电路设计中。
   - 其内置的雪崩击穿保护特性使其能够在异常情况下安全工作。

 7. 音频功率放大器
   - 在某些低功率音频放大器中,FQP14N30 可用作输出级的开关元件,提供高效的信号放大。

 总结
FQP14N30 的高耐压、低导通电阻以及良好的开关性能,使其广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。具体应用场景需根据实际电路需求和功率等级进行选型和设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220MOSFET 300V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.1 A

Id-连续漏极电流

9.1 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP14N30QFET®

数据手册

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产品型号

FQP14N30

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

147 W

Pd-功率耗散

147 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

290 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

290 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

300 V

Vds-漏源极击穿电压

300 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

145 ns

下降时间

70 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

290 毫欧 @ 7.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

147W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

9.5 S

漏源极电压(Vdss)

300V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14.4A (Tc)

系列

FQP14N30

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP14N30_NL

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