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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ26P20P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ26P20P价格参考。IXYSIXTQ26P20P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTQ26P20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTQ26P20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTQ26P20P是一款功率MOSFET晶体管,属于P沟道增强型场效应晶体管。该器件常用于需要高效功率控制的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,因其具备低导通电阻和高耐压特性,有助于提升系统效率并减少发热。 2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件,实现对电机启停与转速的控制。 3. 负载开关:在工业控制或自动化设备中,用作高侧或低侧开关,控制大功率负载的通断。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或光伏逆变器中,作为关键功率转换元件,将直流电转换为交流电输出。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动或电动工具等场景,具备较强的环境适应性与可靠性。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热与安装,适合中高功率应用。设计时需注意其栅极驱动电压、工作温度范围及散热措施,以确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 200V 26A TO-3PMOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
Id-连续漏极电流 | 26 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ26P20PPolarP™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTQ26P20P |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 33 ns |
下降时间 | 21 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2740pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 170 毫欧 @ 13A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3P |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 5.500 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 170 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
漏极连续电流 | 26 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A (Tc) |
系列 | IXTQ26P20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |