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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS890DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS890DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS890DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIS890DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS890DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIS890DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热稳定性,适合用于高效能电源管理场景。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关和负载管理;电池供电系统中的电源控制与保护,例如锂电池保护电路;DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件,提升转换效率;以及电机驱动、LED驱动和热插拔电源控制等中低功率应用。 SIS890DN-T1-GE3采用小型封装(如PowerPAK SO-8),节省PCB空间,适合高密度布局的现代电子产品。其良好的栅极耐压能力和稳定的电气性能,使其在工业控制、消费电子和通信设备中表现可靠。此外,该MOSFET符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的产品设计。 综上所述,SIS890DN-T1-GE3凭借其高效、紧凑和可靠的特性,广泛应用于需要低功耗、高效率开关控制的中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS890DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS890DN-T1-GE3SIS890DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 802pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23.5 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS890DN-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
| 系列 | SISxxxDN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIS890DN-GE3 |