Datasheet下载- 型号： SUP40P10-43-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP40P10-43-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP40P10-43-GE3价格参考。VishaySUP40P10-43-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUP40P10-43-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP40P10-43-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP40P10-43-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理与功率控制场景。其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关与电池管理，用于高效控制电源通断，降低功耗；在DC-DC转换器中作为同步整流或负载开关，提升转换效率；适用于热插拔电路和过压保护模块，提供快速响应和可靠保护；还可用于电机驱动、继电器驱动等工业控制领域，实现低导通电阻下的高效率功率切换。该器件具备-100V的漏源电压（VDS）和-40A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用。其高可靠性与优良的热性能使其在汽车电子（如车载电源系统）和工业设备中也有广泛应用。此外，SUP40P10-43-GE3采用TO-263（D²PAK）封装，便于散热和自动化生产，适合对空间和散热有要求的设计。总体而言，该MOSFET广泛应用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电源管理系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUP40P10-43-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A （Tc） |
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