Datasheet下载- 型号： SI7370ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7370ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7370ADP-T1-GE3价格参考。VishaySI7370ADP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7370ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7370ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7370ADP-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型DFN封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)典型值约0.018Ω），可有效降低导通损耗，提高系统效率。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理与负载开关控制。由于具备良好的开关性能和低功耗特性，常用于电池供电系统的电源通断、热插拔保护及信号切换。此外，SI7370ADP-T1-GE3也适用于DC-DC转换电路中的同步整流或高边/低边开关，提升电源转换效率。其小尺寸封装适合高密度PCB布局，广泛应用于移动设备的电源管理单元（PMU）中，实现对各功能模块的精细供电控制。总体而言，该MOSFET凭借高可靠性、小体积和优异电气性能，成为便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7370ADP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2850pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 69.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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