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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS3443BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS3443BT1G价格参考。ON SemiconductorNTGS3443BT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTGS3443BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGS3443BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS3443BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 - NTGS3443BT1G 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 2.5mΩ @ Vgs=10V)使其非常适合用于高效能的电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、降压/升压转换器等。 - 在电池管理系统(BMS)中,该器件可以用作负载开关或保护开关,以实现高效的电流控制和过流保护。 2. 电机驱动 - 由于其高电流处理能力和快速开关速度,NTGS3443BT1G 可用于小型直流电机驱动电路中,作为功率级开关。 - 它可以应用于消费电子设备中的风扇、泵或其他小型电机的控制。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)中,NTGS3443BT1G 可用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电管理,从而降低功耗。 - 其低导通电阻特性有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统效率。 4. 保护电路 - 该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中,确保系统在异常情况下能够安全运行。 - 在 USB 充电接口中,它可以用作限流开关,防止过载或短路对设备造成损害。 5. 信号切换 - 在多路复用器或信号切换电路中,NTGS3443BT1G 可用作模拟开关,实现信号路径的选择和切换。 - 其低栅极电荷(Qg)特性使得它能够在高频应用中表现出色。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED 驱动、电动座椅控制、车窗升降器等需要高效功率开关的应用。 - 其出色的电气性能和可靠性满足了汽车环境对元件的严格要求。 总结 NTGS3443BT1G 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高电流能力,在电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路和信号切换等领域具有广泛的应用价值。它特别适合于需要高效能和低功耗的消费电子、工业设备及汽车电子应用中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTGS3443BT1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 819pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.7A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |