Datasheet下载- 型号： SI7445DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7445DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7445DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7445DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7445DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7445DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7445DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件采用 8-SOIC 封装，具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源控制。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和低损耗。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如 LED 照明、加热元件或风扇。 4. 工业控制：在 PLC、传感器模块和工业自动化设备中实现信号和功率控制。 5. 消费电子产品：应用于笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理和接口保护电路。 其高可靠性与紧凑封装使其适用于空间受限且对性能要求较高的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7445DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.7 毫欧 @ 19A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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