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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N120ANTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N120ANTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40N120ANTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 1200V 64A 417W Through Hole TO-247。您可以下载FGH40N120ANTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N120ANTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH40N120ANTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT、MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):FGH40N120ANTU因其高电压耐受能力(1200V)和低导通电阻,非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电力转换过程,减少能量损耗。 2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子领域中,这款MOSFET可用于驱动中小型电机。其快速开关特性和较低的Rds(on)值有助于提高电机驱动效率并降低热损耗。 3. 逆变器:无论是太阳能逆变器还是其他类型的电力逆变器,该器件都能提供稳定可靠的性能。它能够在DC-AC转换过程中实现高效的功率传输。 4. 不间断电源(UPS)系统:作为关键组件之一,FGH40N120ANTU可以确保UPS系统在主电源中断时快速切换到备用电池供电模式,并维持负载运行。 5. 电动汽车及混合动力汽车(EV/HEV):尽管主要应用于较低功率场景,但在某些辅助系统如车载充电器或小型电动泵中也可能会用到此类MOSFET。 6. 固态继电器:利用其快速响应时间与低功耗特点,在设计固态继电器时可选择此款产品以替代传统机械式继电器。 总之,FGH40N120ANTU凭借其出色的电气参数,在需要高电压、大电流处理能力以及高效能源管理的各种电子设备中都有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 15ns/110ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 1200V 64A 417W TO247IGBT 晶体管 1200V NPT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 220nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N120ANTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH40N120ANTU |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 2.3mJ (开), 1.1mJ (关) |
| TestCondition | 600V, 40A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.2V @ 15V,40A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 417W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AB-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 64A |
| 系列 | FGH40N120ANTU |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 64 A |