Datasheet下载- 型号： IRF6674TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6674TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6674TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6674TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6674TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6674TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6674TR1PBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能与高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机等驱动电路中作为功率开关使用，适用于工业自动化设备和机器人控制系统。 3. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，保障电池组的安全与稳定运行，常见于储能系统和电动工具中。 4. 负载开关与电源分配：在服务器、通信设备及消费类电子产品中作为负载开关，实现对不同电路模块的电源控制。 5. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）及小型逆变器系统，用于将直流电转换为交流电，具备快速开关特性，适合高频应用。 该器件采用Trench沟槽技术，具有优异的热稳定性和高耐用性，封装形式为PowerPAK SO-8，节省空间且易于散热，适合高密度PCB设计。综合来看，IRF6674TR1PBF是一款适用于中高功率、高频开关应用的高性能MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFETMOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 67 A |
| Id-连续漏极电流 | 67 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6674TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6674TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.9 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 8.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 13.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6674TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MZ |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.4A （Ta）， 67A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6674.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6674.spi |
| 配置 | Dual |
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