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产品简介:
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NVTFS4C08NWFTAG是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道功率MOSFET,适用于多种中低压功率开关应用。其主要应用场景包括:电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池供电设备中的高效能开关控制。该器件具备低导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率,特别适合对能效要求较高的便携式设备和工业控制系统。 典型应用领域涵盖笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块、电信设备电源系统及LED照明驱动电路。由于其采用紧凑型封装(如PowerDI5060),散热性能良好,可在空间受限的高密度PCB设计中使用。此外,该MOSFET还具备良好的雪崩耐受能力和抗瞬态电压能力,适合在较严苛的电气环境中稳定工作。 总体而言,NVTFS4C08NWFTAG广泛应用于需要高效、可靠且小型化功率开关解决方案的消费电子、通信基础设施和工业设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 55A U8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVTFS4C08NWFTAG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1113pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.9 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Ta) |