Datasheet下载- 型号： IPDH6N03LAG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPDH6N03LAG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPDH6N03LAG价格参考。InfineonIPDH6N03LAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPDH6N03LAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPDH6N03LAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为 IPDH6N03LAG 的 MOSFET 属于功率场效应晶体管，常用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻和优良的热性能，适合多种电力电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效能电源模块。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器（如变频空调、洗衣机）及工业自动化设备中的直流电机或步进电机驱动电路。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动车、储能系统或便携式设备中，作为充放电控制开关，提升能效和系统安全性。 4. 负载开关与热插拔控制：用于服务器、通信设备中实现对负载的快速通断控制，防止电流冲击。 5. LED照明驱动：在高亮度LED照明系统中作为调光或开关控制元件，实现高效能与长寿命。 综上，IPDH6N03LAG适用于需要高效能、高可靠性和紧凑设计的中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPDH6N03LAG_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429c4e041ed |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPDH6N03LAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 30µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2390pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPDH6N03LAGINCT |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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