Datasheet下载- 型号： IRF840LCLPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840LCLPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840LCLPBF价格参考。VishayIRF840LCLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF840LCLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF840LCLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF840LCLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：IRF840LCLPBF因其高电压耐受能力（最大漏源极电压可达500V）和低导通电阻特性，广泛应用于开关电源电路中作为开关器件。它能够在高频条件下高效地控制电流的开断。 2. 电机驱动与控制：在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该MOSFET可以用作功率开关，实现对电机速度和方向的精准控制。其快速开关特性和良好的热稳定性使其适合此类应用。 3. 逆变器设计：无论是太阳能逆变器还是其他类型的电力转换设备，IRF840LCLPBF都能胜任将直流电转换为交流电的任务，确保高效的能源转换过程。 4. 负载切换与保护：在需要频繁启停大功率负载的情况下，这款MOSFET可以安全可靠地执行负载切换功能，并提供过流保护机制以防止系统损坏。 5. 音频功放电路：部分音响系统会采用这种类型的MOSFET作为输出级元件，以提高放大器效率并减少失真。 6. 继电器替代方案：由于其固态结构没有机械部件磨损问题，因此常被用来取代传统电磁继电器，在自动化控制系统中实现更长寿命的操作。 总之，凭借其出色的电气性能参数以及坚固耐用的设计特点，IRF840LCLPBF非常适合用在各种需要高效能功率管理及控制的电子装置当中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840LCLPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91068 |
| 产品型号 | IRF840LCLPBFIRF840LCLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | *IRF840LCLPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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