Datasheet下载- 型号： CSD16411Q3
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16411Q3由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16411Q3价格参考。Texas InstrumentsCSD16411Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16411Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16411Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16411Q3是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：CSD16411Q3适用于高效能的降压或升压DC-DC转换电路，能够实现快速开关和低导通电阻（Rds(on)），从而提高转换效率。 - 负载开关：在需要快速响应和低损耗的应用中，该MOSFET可用作负载开关，控制电流流向特定负载。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路，确保过流、短路或过充等异常情况下的安全切断。 2. 电机驱动 - 小型直流电机驱动：由于其低导通电阻和高开关速度，CSD16411Q3适合驱动小型直流电机，广泛应用于消费电子、家用电器等领域。 - H桥电路：在H桥或其他桥式驱动电路中，该器件可作为功率级元件，用于正向和反向旋转控制。 3. 信号切换与隔离 - 信号切换：在需要高速切换信号的场景中，如音频放大器或数据传输线路，CSD16411Q3可以提供稳定的性能。 - 继电器替代：在某些应用中，可以用MOSFET替代机械继电器，以减少磨损并提高可靠性。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：例如LED驱动、仪表盘供电、传感器接口等，CSD16411Q3能够在高温环境下保持稳定工作。 - 电动助力转向系统（EPS）：用于控制辅助电机的功率输出，支持精确的速度调节。 5. 工业自动化 - PLC输入/输出模块：在可编程逻辑控制器中，用于控制外部设备的通断状态。 - 伺服驱动器：在高性能伺服系统中，作为功率级元件，实现精确的位置和速度控制。 6. 消费电子产品 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的充电管理模块，利用其低功耗特性延长电池寿命。 - USB-PD控制器：在支持USB Power Delivery协议的充电器中，用作功率路径管理的关键组件。 总结 CSD16411Q3凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换、汽车电子、工业自动化以及消费电子产品等领域。其低导通电阻、高开关速度和耐热性能使其成为多种高效能设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 56 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16411Q3NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16411Q3 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W |
| Qg-GateCharge | 2.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 7.8 ns |
| 下降时间 | 3.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 296-24255-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16411Q3 |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A（Ta）， 56A（Tc） |
| 系列 | CSD16411Q3 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
