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  • 型号: FQD20N06TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD20N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD20N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD20N06TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 16.8A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD20N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD20N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16.8 A

Id-连续漏极电流

16.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD20N06TMQFET®

数据手册

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产品型号

FQD20N06TM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

63 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

63 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

45 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

590pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

63 毫欧 @ 8.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD20N06TM-ND
FQD20N06TMTR

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

63 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

10 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

16.8 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16.8A (Tc)

系列

FQD20N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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