ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBTA63-7-F
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBTA63-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA63-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA63-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBTA63-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 30V 500mA 125MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBTA63-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA63-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBTA63-7-F是一款NPN型小信号晶体管，属于双极晶体管（BJT）类别。它广泛应用于各种低功率和中等频率的电路设计中，主要用途包括： 1. 开关应用：该晶体管常用于数字电路中的开关功能，如在电源管理、电机控制和其他需要快速切换状态的应用中。它的低饱和电压和快速开关特性使得它在这些场景下表现出色。 2. 信号放大：MMBTA63-7-F也适用于音频设备、传感器信号调理等场合，能够有效地放大微弱信号，确保信号不失真地传输到后续处理阶段。 3. 保护电路：可以作为过流保护元件，在电流超过设定阈值时切断电路，防止损坏其他敏感组件。此外，它还可以用于ESD（静电放电）防护电路中，提供额外的安全保障。 4. 通信系统：在无线通信模块或射频前端电路里，这款晶体管可用于实现混频器、振荡器等功能，支持高频段的数据传输任务。 5. 消费电子产品：诸如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的内部电路中也会用到这类小型化且高效的晶体管，以满足紧凑空间内的高性能要求。 总之，MMBTA63-7-F凭借其优良的电气性能和可靠性，在众多领域内发挥着重要作用，特别是在对功耗敏感的小型化电子产品设计中更是不可或缺的关键元器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR DARL PNP 30V SOT23-3达林顿晶体管 -30V 300mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Diodes Incorporated MMBTA63-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTA63-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 100µA， 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10000 @ 100mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBTA63-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 5000 |
| 系列 | MMBTA63 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 频率-跃迁 | 125MHz |
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