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Datasheet下载- 型号： STB140NF75T4
- 制造商： STMicroelectronics
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STB140NF75T4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB140NF75T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB140NF75T4价格参考。STMicroelectronicsSTB140NF75T4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK。您可以下载STB140NF75T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB140NF75T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB140NF75T4是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于多种高效率功率转换场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源（SMPS）中，以提高能效和减小体积。 2. 电机控制：适用于工业自动化和电动汽车中的电机驱动电路，提供高效、快速的开关性能。 3. 电池管理系统（BMS）：在储能系统和电动车中用于电池充放电控制与保护。 4. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS系统和工业变频器中，实现高效的能量转换。 5. 负载开关与电源分配：用于高电流负载的开关控制，如服务器电源、工业设备和高功率LED照明系统。 该MOSFET采用表面贴装封装，适用于自动化装配，适合高密度和高性能要求的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKMOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB140NF75T4STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB140NF75T4 |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 90 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 218nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 70A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-6547-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF67101?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 160 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | STB140N75 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
