Datasheet下载- 型号： DMN2011UFDE-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2011UFDE-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2011UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMN2011UFDE-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2011UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2011UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2011UFDE-7是一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的DC-DC转换器和电源开关，具有低导通电阻和小封装，提升能效。 2. 负载开关：用于控制电源对负载的供电，如电机、LED灯、传感器模块等，具备快速开关特性和过热保护功能。 3. 电池供电设备：因低功耗特性，适合电池管理系统，延长设备续航。 4. 工业控制：用于小型电机驱动、继电器驱动或工业自动化设备中的信号切换。 5. 通信设备：在路由器、交换机等网络设备中用于电源切换或信号路径控制。 该器件采用SOT-563封装，体积小，适合高密度PCB布局，工作温度范围宽，可靠性高，适用于消费电子、工业和通信等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2011UFDE-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2248pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 7A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN2020（2x2） |
| 其它名称 | DMN2011UFDE-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 610mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.7A （Ta） |
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