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IRFP4227PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4227PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4227PBF价格参考¥13.06-¥14.29。International RectifierIRFP4227PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 65A(Tc) 330W(Tc) TO-247AC。您可以下载IRFP4227PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP4227PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)旗下的型号为IRFP4227PBF的MOSFET,属于功率MOSFET类别,常用于高效率、高频率的电力电子系统中。以下是其典型应用场景: 1. 电源转换器(SMPS):该器件适用于开关电源设计,如AC-DC和DC-DC转换器,因其具备低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高耐压能力,有助于提升电源效率并减少发热。 2. 电机驱动与控制:在直流电机或步进电机驱动电路中,IRFP4227PBF可作为主开关元件,承受较高的电流和电压应力,适用于工业自动化设备及电动工具等场景。 3. 逆变器系统:包括太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动车充电系统等,该MOSFET可用于DC-AC转换环节,支持高效能电能变换。 4. 电池管理系统(BMS):在高功率电池组中,该器件可用于充放电控制回路,确保电池安全运行。 5. 负载开关与电源管理模块:适用于需要高可靠性和大电流承载能力的负载切换应用,例如服务器电源、通信设备供电系统等。 综上,IRFP4227PBF凭借其优良的电气性能和耐用性,广泛应用于工业控制、新能源、汽车电子及消费类电源产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-247ACMOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4227PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4227PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 70 nC |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 46A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 330W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 70 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 49 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 65 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |