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Datasheet下载- 型号： FCD900N60Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FCD900N60Z产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD900N60Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD900N60Z价格参考。Fairchild SemiconductorFCD900N60Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载FCD900N60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCD900N60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD900N60Z 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道 MOSFET，主要应用于高功率、高频率的电力电子系统中。其额定电压为 600V，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制等场景。 该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，有助于提高能效并减少散热设计复杂度。同时，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性和稳定性。 典型应用包括： 1. 工业电源与UPS系统：如不间断电源、工业变频器、伺服驱动器； 2. 新能源领域：光伏逆变器、储能系统中的DC-AC转换电路； 3. 家电与白色家电：电磁炉、变频空调压缩机驱动模块； 4. 汽车电子：车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等高压直流系统。 综上，FCD900N60Z 因其高耐压、高效率及高可靠性，广泛适用于需要高效功率转换和稳定性能的各类工业及消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3MOSFET 600V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD900N60ZSuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCD900N60Z |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 上升时间 | 5.2 ns |
| 下降时间 | 11.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD900N60ZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 33.6 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 系列 | FCD900N60Z |
| 配置 | Single |
