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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK80N50Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK80N50Q3价格参考。IXYSIXFK80N50Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK80N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK80N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK80N50Q3是一款高功率MOSFET晶体管,主要应用于需要高效、高电压和大电流处理能力的电力电子系统中。该器件的额定电流为80A,耐压达500V,采用第三代MOSFET技术,具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和UPS不间断电源系统,适用于高效率和高功率密度的设计需求。 2. 电机驱动与变频器:用于工业自动化中的电机控制、变频器及伺服驱动器,支持高频开关和快速响应控制。 3. 新能源领域:在太阳能逆变器、风力发电变流器等系统中,作为核心开关元件实现能量高效转换。 4. 电动汽车相关设备:如车载充电器、电池管理系统(BMS)中的功率控制模块。 5. 焊接设备与感应加热:适用于高频逆变焊接电源和工业感应加热装置,具备良好的耐冲击电流能力。 该器件通常采用TO-247封装,便于散热和安装,适用于高功率应用场景。由于其高性能特性,IXFK80N50Q3广泛应用于工业、能源、交通等对可靠性与效率要求较高的电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK80N50Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK80N50Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 1250 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Qg-GateCharge | 200 nC |
| Qg-栅极电荷 | 200 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 40A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
| 系列 | IXFK80N50 |
| 配置 | Single |